Новости науки 24.02.01 Магнитные запоминающие устройства

Возможность замены конденсаторов - хранителей информации в ДЗУПВ (динамических запоминающих устройствах с произвольной выборкой) - на элементы микронных размеров из сплавов ферромагнитных материалов (Fe, Ni, Co) исследуется, начиная с середины 80-х годов. Необходимость такой замены диктуется тем обстоятельством, что конденсаторы теряют свой заряд, а, следовательно, и хранимую информацию при обновлении информации через промежутки в несколько миллисекунд. Магнитные же элементы не страдают такой амнезией. Многие солидные фирмы (IBM, Motorola, Hewlett-Packard, Honneywell) озабочены проблемой магнитных ЗУПВ, но пока только Honneywell удалось создать коммерческие кристаллы. В 1997 году их магнитные кристаллы были в 10 раз медленнее, емкость памяти в 256 раз меньше, а стоили они значительно дороже традиционных полупроводниковых ДЗУПВ. На фоне отсутствия даже опытных образцов у других фирм магнитная продукция Honneywell казалась крупным достижением.

Недавно некий изобретатель Р.М.Лино заявил, что изготовленные им кристаллы памяти сохраняют информацию многие годы при отключении питания и срабатывают в 5-10 раз быстрее, чем полупроводниковые кристаллы ДЗУПВ, при сопоставимой стоимости. К тому же для их производства всего-то требуется лишь незначительно изменить современные производственные линейки. Лино не дает подробного описания своих кристаллов, намекая лишь, что это - матрицы миниатюрных магнитов. Уверенный в успехе своих идей, изобретатель создал собственную фирму. Для победы в конкурентной борьбе необходимо удовлетворить следующим требованиям: 1) технология изготовления магнитных ячеек микронного масштаба должна быть совместима с существующими производственными линейками; 2) ячейки должны иметь предельно малую рассеиваемую мощность, допускающую их использование в портативных телефонов и смарт-картах; 3) быстродействие ячеек должно составлять не более 60нс (как у современных полупроводниковых ДЗУПВ).

Е.Онищенко

На главную страницу

перейти к началу страницы